產(chǎn)品類(lèi)型：Trench MOS（低壓）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：溝槽型工藝，適用于200V以下低壓領(lǐng)域，大電流、大串?dāng)?shù)等應(yīng)用場(chǎng)景。
應(yīng)用場(chǎng)景：鋰電保護(hù)；電動(dòng)車(chē)、平衡車(chē)無(wú)刷電機(jī)；電子煙等。
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應(yīng)用領(lǐng)域
公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子、新能源、鋰電保護(hù)、電機(jī)控制、電源設(shè)備、LED顯示屏驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
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電機(jī)控制
銳駿Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品采用屏蔽柵深溝槽技術(shù)，全面提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時(shí)降低了器件的特征導(dǎo)通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）， 配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時(shí)確保在苛刻環(huán)境下開(kāi)關(guān)過(guò)程中的抗沖擊耐量，實(shí)現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。
2024.04.24
銳駿Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品采用屏蔽柵深溝槽技術(shù)，全面提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時(shí)降低了器件的特征導(dǎo)通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）， 配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時(shí)確保在苛刻環(huán)境下開(kāi)關(guān)過(guò)程中的抗沖擊耐量，實(shí)現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。
產(chǎn)品類(lèi)型：SGT MOS（中低壓）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：屏蔽柵溝槽型工藝，內(nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快，適用于中低壓小串?dāng)?shù)應(yīng)用場(chǎng)景。
應(yīng)用場(chǎng)景：家電電機(jī)；PD快充、多口USB、反激式電源等。
產(chǎn)品類(lèi)型：Super Junction MOS（高壓）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：高壓超結(jié)工藝，效率更高、更可靠，適用于600V以上高壓應(yīng)用領(lǐng)域，行業(yè)前沿拓展產(chǎn)品。
應(yīng)用場(chǎng)景：PC電源開(kāi)關(guān)、電池、逆變器等。
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